EVG®770的特征：微透鏡用于晶片級光學器件的高效率制造主下降到納米結構為SmartNIL®簡單實施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實時圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學楔形誤差補償可選的自動盒帶間處理EVG®770技術數據：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線）>100mW/cm2對準：頂側顯微鏡，用于實時重疊校準≤±500nm和精細校準≤±300nm手個印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區域：長達50x50毫米自動分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。步進重復納米壓印光刻可以從蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面積均勻復制模板。微接觸納米壓印有哪些品牌
納米壓印光刻（NIL）技術EVG是納米壓印光刻（NIL）設備和集成工藝的市場lingxian供應商。EVG從19年前的研究方法中率先掌握了NIL，并實現了從2英寸化合物半導體晶圓到300mm晶圓甚至大面積面板的各種尺寸基板的批量生產。NIL是產生納米尺度分辨率圖案的ZUI有前途且ZUI具成本效益的工藝，可用于生物MEMS，微流體，電子學以及ZUI近各種衍射光學元件的各種商業應用。其中EVG紫外光納米壓印系統型號包含：EVG®610EVG®620NTEVG®6200NTEVG®720EVG®7200EVG®7200LAHERCULES®NILEVG®770IQAligner®熱壓納米壓抑系統型號包含：EVG®510HEEVG®520HE詳細的參數，請聯系我們岱美有限公司。微接觸納米壓印有哪些品牌EVG紫外光納米壓印系統有： EVG?610，EVG?620NT，EVG?6200NT，EVG?720，EVG?7200等。
EVG®620NT特征：頂部和底部對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術ZUI小化系統占地面積和設施要求分步流程指導遠程技術支持多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）敏捷處理和轉換工具臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®620NT附加功能：鍵對準紅外對準SmartNILμ接觸印刷技術數據晶圓直徑（基板尺寸）標準光刻：ZUI大150毫米的碎片柔軟的UV-NIL：ZUI大150毫米的碎片SmartNIL®：在100毫米范圍解析度：≤40nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：軟UV-NIL＆SmartNIL®曝光源：汞光源或紫外線LED光源對準：軟NIL：≤±0.5μmSmartNIL®：≤±3微米自動分離：柔紫外線NIL：不支持；SmartNIL®：支持工作印章制作：柔軟的UV-NIL：外部：SmartNIL®：支持
UV納米壓印光刻EVGroup提供完整的UV納米壓印光刻（UV-NIL）產品線，包括不同的權面積壓印系統，大面積壓印機，微透鏡成型設備以及用于高效母版制作的分步重復系統。除了柔軟的UV-NIL，EVG還提供其專有的SmartNIL技術以及多用途的聚合物印模技術。高效，強大的SmartNIL工藝可提供高圖案保真度，高度均勻的圖案層和蕞少的殘留層，并具有易于擴展的晶圓尺寸和產量。EVG的SmartNI技術達到了納米壓印的長期預期，即納米壓印是一種用于大規模生產微米和納米級結構的高性能，低成本和具有批量生產能力的技術。納米壓印是一種利用納米技術進行壓印的方法。
SmartNIL是行業領仙的NIL技術，可對小于40nm*的極小特征進行圖案化，并可以對各種結構尺寸和形狀進行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術相結合，可實現無人能比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優勢，同時保留了可擴展性和易于維護的操作。EVG的SmartNIL兌現了納米壓印的長期前景，即納米壓印是一種用于大規模制造微米級和納米級結構的低成本，大批量替代光刻技術。*分辨率取決于過程和模板如果需要詳細的信息，請聯系岱美儀器技術服務有限公司。EVG620 NT支持多種標準光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，以及背面對準選項。微接觸納米壓印有哪些品牌
分步重復刻印通常用于高效制造晶圓級光學器件或EVG的Smart NIL工藝所需的母版。微接觸納米壓印有哪些品牌
納米壓印光刻設備-處理結果：新應用程序的開發通常與設備功能的提高緊密相關。EVG的NIL解決方案能夠產生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術和光子應用中實現了許多新的創新。HRISmartNIL®壓印上的單個像素的1.AFM圖像壓印全息結構的AFM圖像資料來源：EVG與SwissLithoAG合作（歐盟項目SNM）2.通過熱壓花在PMMA中復制微流控芯片資料來源：EVG3.高縱橫比（7：1）的10μm柱陣列由加拿大國家研究委員會提供4.L/S光柵具有優化的殘留層，厚度約為10nm資料來源：EVG5.紫外線成型鏡片300μm資料來源：EVG6.光子晶體用于LED的光提取多晶硅的蜂窩織構化（mc-Si）由FraunhoferISE提供7.金字塔形結構50μm資料來源：EVG8.蕞小尺寸的光模塊晶圓級封裝資料來源：EVG9.光子帶隙傳感器光柵 資料來源：EVG（歐盟Saphely項目）10.在強光照射下對HRISmartNIL®烙印進行完整的晶圓照相 資料來源：EVG微接觸納米壓印有哪些品牌